SJ 50033.42-1994 半导体分立器件.CSO467型砷化镓微波场效应晶体管详细规范
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ID： |
0D9908A6783148E191276541A61128A6 |
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文件大小(MB)： |
0.61 |
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页数： |
12 |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/42-94,半导体分立器件,CS0467型珅化緣微波场效应晶体管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type CS0467 GaAs microwave FET,1994-0%30 发布1994-12-0I 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,CS0467型神化镇微波场效应晶体管详细规范,SJ 50033/42-94,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type CS0467 GaAs microwave FET,范围,1.I 主题内容,本规范规定了 CS0467型碑化緑微波场效应晶本管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分举,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军级、特军级,和超特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4586—84场效应晶体管测试方法,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2 .］引出端材料和涂层,引出端材料为可伐合金,引线表面镀金,3.2.2器件结构,采用碎化镇N沟道肖将基势皇棚结构,中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-0I 实施,-I -,SJ 50033/42-94,3.2.3外形尺寸,外形尺寸按GB 758”B2-06A型及如下规定,见图1,ェ,I ! ' I,B2-O6A,引出端极性,符号弋,Tnin nom max,A 5.0,% 0.7 OS,% 0.7 0.9,C 0.10 0.15,F 1.00 L39,K *9 5.5,L 4.0,护2.05 2,35,Q 2-4,Q 11.0",3 5.5,5 14,7 63,功4.0 4.6,1一漏板,2-栅扱,売体一源极,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,rP ?rリ,(W),Tc=25t,VK,(V),ぜGDO,(V),^GSO,(V),A,(mA),T+或へ,(t),LOS 12 i 12 -12 Idss 二 65一十 175,注;1）当Tc>25C时,按7mW/C的速率线性降额,3.3.2 主要电特性（Ta = 25匕）,-2 -,SJ 50033/42-94,Idss,(mA),痴,(mA),【的,（V） (mS),p,(dBm),Ge,(dB),、条,型号飞Vds=3V,%s = 0V,%；s=6V,3 ov,33V,Ids h 2mA,Vns = 3V,匕L。,一iv 条件见A4分组,CS0467A 125-250 0.1 丒2~ -5 >25 >20 决,CS0467B 125.250 0.1 -2 - 5 >25 >20 *,CS0467C,■ ■,125~250 0J -2 - 5 >25 * >21 ミ7,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 4586及本规范的规定,3.5 标志,器件的标志应按GJB 33的规定,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检験应符合GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应符合GJB 33和本规范的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT极）,筛选应按GJB 33的表2和本规范的规定进行,下面测试应按本规范表!进行,超过规定极限值的器件应予剔除,筛 选,(见 GJB 33,表 2),測试,3热冲击试验条件C,-65~+：50七,循环20次,6高温反偏7V = 150 匕,:二 48k,3― 7.2V,7中间电参数且血和V做播n,8功率老化见431,9最后测试按本规范表1的A2分组,初始值的±25%;,△Vcs（風＜初始值的士30%,4.3.1 功率老化条件,功率老化条件如下:,P双=0.75W, V0s = 9V,兀エ70 土 57,4.4 质量一致性检验,质量』致性检验应按GJB 33的规定进行,3 —,SJ 50033/42-94,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表!的规定进行,4.4.2 B:组检验,13阻检脸应桜GJB 33表4及本规范表2各试验分组的规定进行。最后测试和变化量要,求岚符台本规戒表4中适用步聚的规定,4,4.3 C组检脸,C组检验应按GjB 33表5及木规范表3中各试验分组的规定迸行。最后测试和变化量,要求应符合本规范表4中适用步聚的规定,4.5 检睑和检验方法,校验方法应按本规范相应的表中规定的方法和下列规定进行,4.5.I 脉冲测试,脉冲测试应按GJB 128的3.3.2.1条的规定,表1 A组检验,检验或试验,方法,GB 4586,条 件LTPD,—,极限值,单位付甘,最小值最大值,A1分组,外观及机械检验GJB 128,2071,5,A2分组,健一丒源截止电压,棚一源短路下的,调极电流,癩一谈短路下的,册截止电流,跨导,1,5,炉G5（曲】,『DSS,I む SSL,gml,-2,125,25.,-5,250,〇」,V,mA,mA,mS……
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